Thông số kỹ thuật:

Điện áp đánh thủng là 500V.
Điện áp VGS = +/-20V
Dòng chịu đựng trung bình là 50A.
Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.
Công suất: 300W

Mosfet IRFP260 là mosfet kênh N hay mosfet ngược, được đóng gói theo chuẩn TO-247

Mosfet IRFP260 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet IRFP260 có công suất là 300W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa đóng mở.

Mosfet IRFP260
Mosfet IRFP260

G: Gate gọi là cực cổng
D: Drain gọi là cực máng
S: Source gọi là cực nguồn

Mosfet IRFP260 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.

Mosfet IRFP260 thích hợp trong các mạch nguồn tivi, máy tính, mạch chuyển đổi DC - DC, điều khiển đóng mở dòng động cơ, hoạt động như một khóa đóng mở.